Dialog Semiconductor授权格芯在22FDX平台上使用非易失性阻性RAM技术，旨在推动物联网和人工智能的发展

电池和电源管理、Wi-Fi®和蓝牙®低能耗(BLE)以及工业边缘计算解决方案的领先供应商DIALOG SEMICONDUCTOR（XETRA代码：DLG）与全球领先的特殊工艺半导体代工厂格芯®（GLOBALFOUNDRIES®，GF®）近日宣布，双方已达成协议，Dialog将其导电桥接RAM (CBRAM)技术授权给格芯®（GLOBALFOUNDRIES®）。这种阻性RAM(ReRAM)技术由Adesto Technologies公司开创，该公司最近被Dialog Semiconductor收购。格芯®（GLOBALFOUNDRIES®）将首先在其22FDX®平台上提供Dialog的CBRAM技术，作为嵌入式非易失性存储器(NVM)选项，并计划扩展到其他平台。

Dialog经过生产验证的专有CBRAM技术是一种低功耗NVM解决方案，旨在支持物联网、5G连接、人工智能(AI)等一系列应用。CBRAM具备低功耗、高读/写速度、低制造成本以及对恶劣环境的耐受性，因此特别适合消费电子、医疗以及部分工业和汽车应用。此外，CBRAM技术还能为这些市场的产品所需的先进技术节点提供高性价比的嵌入式NVM。

Dialog Semiconductor企业发展高级副总裁兼工业混合信号业务部总经理Mark Tyndall表示：“CBRAM是Adesto标志性存储器技术之一，也是Dialog产品组合的颠覆性新产品。与格芯建立新的授权合作关系，体现了Dialog和Adesto携手开创新事业的迅捷速度。

展望未来，我非常看好我们与格芯的紧密合作关系。这项协议不仅能够为行业提供先进的技术，而且还使Dialog有机会在下一代片上系统(SoC)采用领先的CBRAM技术。”

格芯高级副总裁兼汽车、工业和多市场总经理Mike Hogan表示：“我们与Dialog的合作关系表明，格芯致力于加大投资力度，进一步为客户提供差异化的增值产品。Dialog的ReRAM技术为我们领先的eNVM解决方案系列提供了有力补充。该存储器解决方案与我们的FDX™平台相结合，能够帮助我们的客户推陈出新，提供新一代安全物联网和边缘人工智能应用。”

Dialog的CBRAM技术克服了ReRAM经常面临的集成与可靠性挑战，提供了可靠的低成本嵌入式存储器，同时支持ReRAM在低电压下工作。这意味着需要比标准嵌入式闪存产品写入和读取访问耗能更低。

CBRAM将于2022年作为格芯22FDX平台的嵌入式NVM选项投入生产，供格芯客户使用。客户可以借助IP定制服务，对CBRAM单元进行修改，以优化其SoC设计，增强安全性，甚至调整单元以满足新应用的需求。此外，作为“后端制程”技术，CBRAM更容易集成到其他技术节点。