为工业和消费应用带来优异能效,ST全新肖特基二极管问市
意法半导体新推出26款封装采用薄型SMA和SMB扁平封装、额定电压25-200V、额定电流1-5A的肖特基二极管。新二极管的厚度是1.0mm,比
2020-08-11 10:40:29什么是LED?LED是被称为"发光二极管"的半导体,名称取至 "Light Emitting Diode" 的首字母。1993年基于氮化镓制造出的高亮度蓝色
2020-09-18 15:27:35■引脚二极管举例结构符号用途・特征高频信号开关→手机等衰减器和AGC ※ 电路用可变电阻元件※AGC: Automatic Gain Control(自
2020-09-18 15:27:26结构符号用途・特征恒压电路防止IC免受浪涌电流、静电损坏的保护元件施加反向电压时产生恒压。齐纳二极管利用电流变化时电压恒定
2020-09-18 15:27:24结构符号用途・特征对电源部的二次侧起到整流作用。低VF(低损耗)、IR大。开关速度快。一般的二极管是利用PN接合来发挥二极管特
2020-09-18 15:27:23结构符号用途・特征用于各种设备的开关。开关速度:向恢复时间 (trr) 短。顾名思义,是指具有开关功能的二极管。此二极管具有正
2020-09-18 15:27:22结构符号用途・特征对电源部的一次侧起到整流作用。容易获得1A以上、400V/600V的高耐压。整流二极管 (Rectifier Diode) 顾名思义
2020-09-18 15:27:211. 按频率分类2. 按结构分类3. 按正向电流的大小分类4. 按集成度分类5. 按形状分类二极管有按使用回路的功能和制品的大小所要求
2020-09-18 15:27:201. 真空管以前・・・2. 鍺,接下来硅3. 从PN结合诞生的整流效果4. 二极管就是开关5. 结合构造也有多样6. 顺方向特性和逆方向特性
2020-09-18 15:12:03二极管因为具有整流特性而用来产生直流电压,并且只要存在二极管,其所产生的直流电压便与交流和RF信号电平成比例。今天为大家分
2020-09-16 09:07:32半导体市场的最新趋势是广泛采用碳化硅(SiC)器件,包括用于工业和汽车应用的肖特基势垒二极管(SBD)和功率 MOSFET。与此同时
2020-09-08 13:41:18意法半导体新推出26款封装采用薄型SMA和SMB扁平封装、额定电压25-200V、额定电流1-5A的肖特基二极管。新二极管的厚度是1.0mm,比
2020-08-11 10:40:29意法半导体新近日推出26款封装采用薄型SMA和SMB扁平封装、额定电压25-200V、额定电流1-5A的肖特基二极管。新二极管的厚度是1.0mm
2020-08-04 09:50:17一、指代不同1、交来流调压:对单相交流电的电压进行调节的电路。2、交流调功:是一种以晶闸管(电力电子功率器件)为基础,以智
2020-07-01 15:38:59三相电机运行需要三相逆变器,其一般组成为:6个功率晶体管(MOSFETs或IGBTs)、控制晶体管的栅极驱动器(一个或多个)、实现控
2020-06-30 10:34:05LTC®1479 是一款面向单电池和双电池笔记本电脑及其他便携式设备的整体电源管理解决方案的“核心”。LTC1479 可将来自多达两个电池组和一个 DC 电源的功率送至主系统开关稳压器的输入。该器件与相关的 LTC 电源管理产品 (例如 LTC1435、LT®1511 等) 协同工作以创建…
2020-04-27 15:14:19LTC®4412HV 控制一个外部 P 沟道 MOSFET,以造就一种用于电源切换或负载均分的近理想型二极管功能。这实现了多个电源的高效 “合路” 操作,旨在延长电池的使用寿命和减少自发热。当导通时,MOSFET 两端的电压降通常为 20mV。对于那些采用了一个墙上适配器或其他辅…
2020-04-27 15:14:19LTC®4354 是一款负电压二极管“或”控制器,用于驱动两个外部 N 沟道MOSFET。该器件可替代两个肖特基二极管及相关联的散热器,从而节省了功率和占板面积。通过采用 N 沟道 MOSFET 作为传输晶体管,极大地降低了功率耗散。可以很容易地把电源“或”连接在一起,以提…
2020-04-27 15:14:16LTC®1473 为单电池和双电池笔记本电脑和其他便携式设备提供了一款电源管理解决方案。LTC1473 驱动两组背对背 N 沟道 MOSFET 开关,以将功率传送至主系统开关稳压器的输入。一个内部升压型稳压器负责提供电压以全面强化逻辑电平 N 沟道 MOSFET 开关。 LTC1473 可检测…
2020-04-27 15:14:13LTC®4413 包含两个单片式理想二极管,各能够从 2.5V 至 5.5V 的输入电压提供高达 2.6A。每个理想二极管采用一个 100mΩ P 沟道 MOSFET,用于独立地把 INA 连接至 OUTA,以及将 INB 连接至 OUTB。在标准的正向操作期间,这些二极管两端的电压降均被调节为低至 28mV。…
2020-04-27 15:14:12LTC®4414 控制一个外部 P 沟道 MOSFET,以造就一种用于电源切换的近理想型二极管功能。这实现了多个电源的高效“或”操作,旨在延长电池的使用寿命和减少自发热。当导通时,MOSFET 两端的压降通常为 20mV。对于那些采用了一个交流适配器或其它辅助电源的应用,当…
2020-04-27 15:14:09