SPICE器件模型：二极管示例 其2
继上一篇文章“其1”之后，本文将继续以二极管的SPICE器件模型为例，来介绍器件模型。SPICE器件模型：二极管器件模型的参数调整
2020-09-18 15:51:52
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继上一篇文章“其1”之后，本文将继续以二极管的SPICE器件模型为例，来介绍器件模型。SPICE器件模型：二极管器件模型的参数调整
2020-09-18 15:51:52
SPICE仿真使用的模型有器件模型和子电路模型，这在上一篇文章中已经介绍过。从本文开始将以二极管为例分两次详细介绍器件模型。S
2020-09-18 15:51:49
上一篇文章中介绍了在LED照明电路中提升效率并降低噪声的案例，本文将介绍在空调中的案例。近年来，随着表示全年能效比的APF（An
2020-09-18 15:51:29
继上一篇临界模式PFC的例子之后，本文将探讨电流连续模式PFC的二极管特性差异带来的效率差异。利用二极管改善电流连续模式PFC电
2020-09-18 15:51:23
在实际的应用电路中，二极管和晶体管因其特性和性能不同而需要区分使用。在电源类应用中区分使用的主要目的是提高效率。本文将介
2020-09-18 15:51:20
最后一篇谈及Si二极管。本篇将说明快速恢复二极管（以下简称为FRD）的特征、改善特性及其相关应用。Si-FRD的特征Si-FRD是PN结二
2020-09-18 15:50:28
再次谈及Si二极管，将说明肖特基势垒二极管（以下简称为SBD）的相关特征和应用。Si-SBD的特征 如前文所述，Si-SBD并非PN结，而是
2020-09-18 15:50:25
本篇所例举的是用于高耐压、高电流的二极管，但按照其特性、特征、制造工艺可进行以下分类。此时，对二极管基本的应用条件而言，
2020-09-18 15:50:23
首先，在这里介绍用作硅功率元器件的二极管种类，及堪称硅半导体之基本的二极管最基础内容。Si二极管的分类考虑Si二极管的分类时
2020-09-18 15:50:20本文汇总了SiC的物理特性、SiC-SBD（肖特基势垒二极管）、SiC-MOSFET、全SiC功率模块的关键要点作为最后的总结篇。＜前言＞%
2020-09-18 15:50:04
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程
2020-09-18 15:49:37
上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示，MOSFET（不局限于SiC-MO
2020-09-18 15:49:35
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：V
2020-09-18 15:49:32
进行半导体元器件的评估时，电气/机械方面的规格和性能当然是首先要考虑的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以
2020-09-18 15:49:21
关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。SiC-SBD
2020-09-18 15:49:18
为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升
2020-09-18 15:49:15
前面对SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性进行了比较。下面对二极管最基本的特性–正向电压VF特性的区别进行说明。SiC-SBD和Si-
2020-09-18 15:49:12
面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的
2020-09-18 15:49:09
继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒
2020-09-18 15:49:07
在Tech Web的“基础知识”里新添加了关于“功率元器件”的记述。近年来，使用“功率元器件”或“功率半导体”等说法，以大功率低
2020-09-18 15:48:59周一至周五
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