体二极管_技术搜索

误启动的发生机制

上一篇文章中通过标准型且具有快恢复特性的SJ MOSFET的双脉冲测试，介绍了“在桥式电路中，恢复特性可通过使用高速MOSFET来降低
2021-06-01 14:19:17
通过双脉冲测试评估反向恢复特性

本文我们将根据使用了几种MOSFET的双脉冲测试结果，来探讨MOSFET的反向恢复特性。该评估中的试验电路将使用上一篇文章中给出的基
2021-06-01 14:19:13
什么是双脉冲测试？

我们开设了Si功率元器件的新篇章——“评估篇”。在“通过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性”中，我们将通过双脉冲测试来评估
2021-06-01 14:19:06
同步整流降压转换器死区时间的损耗

上一篇文章中介绍了同步整流降压转换器的开关节点产生的开关损耗。本文将探讨开关节产生的死区时间损耗。死区时间损耗死区时间损
2020-09-18 16:01:56
所谓SiC-MOSFET－沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品

本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程
2020-09-18 15:49:37
所谓SiC-MOSFET－体二极管的特性

上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示，MOSFET（不局限于SiC-MO
2020-09-18 15:49:35