ADG804单电源模拟开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载
ADG804是一款低压CMOS多路复用器，内置4个单通道。在整个温度范围内，该器件具有小于0.8 Ω的超低导通电阻。采用2.7 V至3.6 V电源供电时，数字输入可以处理1.8 V逻辑。ADG804根据3位二进制地址线A0、A1和EN所确定的地址，将四路输入之一切换至公共输出D。当EN引脚为…
2020-04-27 15:22:12
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ADG804是一款低压CMOS多路复用器，内置4个单通道。在整个温度范围内，该器件具有小于0.8 Ω的超低导通电阻。采用2.7 V至3.6 V电源供电时，数字输入可以处理1.8 V逻辑。ADG804根据3位二进制地址线A0、A1和EN所确定的地址，将四路输入之一切换至公共输出D。当EN引脚为…
2020-04-27 15:22:12
ADG1204是一款互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟多路复用器，内置四个采用iCMOS（工业CMOS）工艺设计的单通道。 iCMOS® 是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法…
2020-04-27 15:22:09
ADG849是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关，采用+1.8 V至5.5 V电源供电。它具有超低导通电阻，典型值为0.5 Ω，因此非常适合要求极低开关失真的应用。ADG849还能够载送大量电流；采用5 V电源供电时，载流能力典型值为600 mA。接通时，ADG849的各开关在两个方向的…
2020-04-27 15:22:09
ADG884是一款低压CMOS器件，包括两个独立的单刀双掷（SPDT）开关。该器件具有超低的导通电阻，在整个温度范围内小于0.4Ω，使其非常适合要求最小开关失真的应用。ADG884还具有大电流驱动能力，在5 V电压工作时电流典型值为600 mA。 ADG884采用10引脚、2.0 mm × 1.50…
2020-04-27 15:22:07
ADG839是一款低压CMOS器件，内置一个单刀双掷(SPDT)开关。在整个温度范围内，该器件具有小于0.6 Ω的超低导通电阻。额定电源电压为1.8 V、2.5 V和3.3 V。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。ADG839为先开后合式开关。 ADG83…
2020-04-27 15:22:03
ADG1311/ADG1312/ADG1313均为单芯片CMOS器件，内置四个采用CMOS工艺设计的独立可选开关。ADG1311/ADG1312/ADG1313均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG1311与ADG1312的唯一不同是数字控制逻辑相反。ADG1311开关的接通条件是相关控制输入为逻辑0，而ADG1312则要求…
2020-04-27 15:22:02
ADG794是一款单芯片CMOS器件，内置四个2:1多路复用器/解复用器，提供高阻抗输出。它采用CMOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。在输入信号范围内，导通电阻变化通常小于1.2 Ω。 带宽典型值为300 MHz，而且具有低失真（典型值为0.68%）性能，因而…
2020-04-27 15:21:59
ADG1311/ADG1312/ADG1313均为单芯片CMOS器件，内置四个采用CMOS工艺设计的独立可选开关。 ADG1311/ADG1312/ADG1313均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG1311与ADG1312的唯一不同是数字控制逻辑相反。ADG1311开关的接通条件是相关控制输入为逻辑0，…
2020-04-27 15:21:59
ADG787是一款低压CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。它主要用作通用模拟/数字开关，也可以用于路由USB 1.1信号。该器件导通电阻较低，典型值为2.5 Ω，因此非常适合要求低开关失真的应用。ADG787提供小型3 × 4凸点、1.50 mm × 2.00 mm WLCSP、小型1…
2020-04-27 15:21:57
ADG1311/ADG1312/ADG1313均为单芯片CMOS器件，内置四个采用CMOS工艺设计的独立可选开关。 ADG1311/ADG1312/ADG1313均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG1311与ADG1312的唯一不同是数字控制逻辑相反。ADG1311开关的接通条件是相关控制输入为逻辑0，…
2020-04-27 15:21:57
ADG1236是一款单芯片CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷（SPDT）开关。它采用iCMOS®工艺设计。iCMOS（工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS（互补金属氧化物半导体）与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实…
2020-04-27 15:21:55
ADG841和ADG842均为低压CMOS器件，内置一个单刀单掷(SPST)开关。输入为逻辑1时，ADG841闭合，ADG842则断开。在整个温度范围内，这些器件具有小于0.48 Ω的超低导通电阻。额定电源电压为3.3 V、2.5 V和1.8 V。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可…
2020-04-27 15:21:55
ADG841和ADG842均为低压CMOS器件，内置一个单刀单掷(SPST)开关。输入为逻辑1时，ADG841闭合，ADG842则断开。在整个温度范围内，这些器件具有小于0.48 Ω的超低导通电阻。额定电源电压为3.3 V、2.5 V和1.8 V。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可…
2020-04-27 15:21:53
ADG701L/ADG702L均为单芯片CMOS单刀单掷（SPST）开关，采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。此外，−3 dB带宽可以达到200 MHz以上。ADG701L/ADG702L可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配…
2020-04-27 15:21:52
ADG1433/ADG1434均为单芯片工业CMOS (iCMOS) 模拟开关，分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。所有通道均采用先开后合式开关，防止开关通道时发生瞬时短路。ADG1433（LFCSP和TSSOP封装）和ADG1434（仅LFCSP封装）提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时…
2020-04-27 15:21:52
ADG1201/ADG1202是单芯片互补金属氧化物半导体（CMOS）器件，内置一个采用iCMOS®（工业CMOS）工艺设计的单刀单掷（SPST）开关。iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的…
2020-04-27 15:21:49
ADG1433/ADG1434均为单芯片工业CMOS(iCMOS) 模拟开关，分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。所有通道均采用先开后合式开关，防止开关通道时发生瞬时短路。ADG1433（LFCSP和TSSOP封装）和ADG1434（仅LFCSP封装）提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，…
2020-04-27 15:21:49
ADG1334是一款单芯片CMOS器件，内置四个采用CMOS工艺设计的独立可选单刀双掷（SPDT）开关。当这些开关接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，等于电源电压的信号电平被阻止。所有开关均为先开后合式，适合多路复…
2020-04-27 15:21:49
ADG1408/ADG1409均为单芯片 iCMOS模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG1408根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。ADG1409根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器…
2020-04-27 15:21:47
ADG858是一款低压CMOS器件，内置四个单刀双掷(SPDT)开关。在整个温度范围内，该器件具有小于0.82 Ω的超低导通电阻。额定电源电压为4.2 V至5.5 V和2.7 V至3.6 V。当接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。ADG858为先开后合式开…
2020-04-27 15:21:47周一至周五
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