多路复用器_技术搜索_第6页

ADG801单电源模拟开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载

ADG801/ADG802均为单芯片CMOS单刀单掷(SPST)开关，导通电阻小于0.4 Ω，采用先进的亚微米工艺设计，具有极低导通电阻、高开关速度和低泄漏电流特性。小于0.4 Ω的低导通电阻使这些器件非常适合低导通电阻开关至关重要的应用。ADG801开关为常开(NO)式，ADG802开关为常…
2020-04-27 15:22:35
ADG619双电源模拟开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载

ADG619/ADG620均为单芯片CMOS单刀双掷(SPDT)开关。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同。 ADG619/ADG620具有4 Ω的低导通电阻，通道间导通电阻匹配为0.7 Ω。此外还具有低功耗和高开关速度特性。ADG619为先开后合式，从而可防止开关通道时发生瞬时短路。ADG620…
2020-04-27 15:22:34
LTC1391单电源模拟开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载

LTC®1391 是一款高性能 CMOS 8:1 模拟多路复用器。该器件具有一个串行数字接口，允许以菊链的方式将多个 LTC1391 连接在一起，因而在使用单个数字端口的情况下增加了可用 MUX 通道的数目。LTC1391 具有一个 45Ω 的典型 RON、50pA 的典型开关漏电流和得到保证的“先…
2020-04-27 15:22:34
ADG823单电源模拟开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载

ADG821、ADG822和ADG823均为单芯片CMOS单刀单掷（SPST）开关，采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。
2020-04-27 15:22:32
ADG602双电源模拟开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载

ADG601/ADG602均为单芯片CMOS单刀单掷(SPST)开关，导通电阻典型值小于2.5 Ω。低导通电阻平坦度使ADG601/ADG602适合许多应用，尤其是要求低失真的应用。这些开关比机械继电器更可靠，功耗更低，封装尺寸更小，因此是机械继电器的理想替代产品。 ADG601为常开(NO)开关…
2020-04-27 15:22:32
LTC1390单电源模拟开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载

LTC®1390 是一款高性能 CMOS 8:1 模拟多路复用器。该器件拥有一个具备双向数据重传功能的三线式数字接口，因而使其能与一个串行 A/D 转换器串联连线，并且仅采用一个串行端口。另外，该接口还允许对多个 LTC1390 进行串联或并联连线，从而在仅使用单个数字端口的情…
2020-04-27 15:22:31
ADG822单电源模拟开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载

ADG821、ADG822和ADG823均为单芯片CMOS单刀单掷（SPST）开关，采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。
2020-04-27 15:22:30
ADG601双电源模拟开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载

ADG601/ADG602均为单芯片CMOS单刀单掷(SPST)开关，导通电阻典型值小于2.5 Ω。低导通电阻平坦度使ADG601/ADG602适合许多应用，尤其是要求低失真的应用。这些开关比机械继电器更可靠，功耗更低，封装尺寸更小，因此是机械继电器的理想替代产品。 ADG601为常开(NO)开关…
2020-04-27 15:22:29
ADG836单电源模拟开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载

ADG836是一款低压CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。在整个温度范围内，该器件具有小于0.8 Ω的超低导通电阻。额定电源电压为3.3 V、2.5 V和1.8 V。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。ADG836为先开后合式开…
2020-04-27 15:22:28
ADG821单电源模拟开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载

ADG821、ADG822和ADG823均为单芯片CMOS单刀单掷（SPST）开关，采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。
2020-04-27 15:22:27
ADG636双电源模拟开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载

ADG636是一款单芯片器件，内置两个独立可选的CMOS单刀双掷(SPDT)开关。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同。ADG636采用±2.7 V至±5.5 V双电源或+2.7 V至+5.5 V单电源供电。此开关在整个信号范围内具有±1.5 pC的超低电荷注入，25°C时的典型漏电流为10 pA。此…
2020-04-27 15:22:27
ADG812单电源模拟开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载

ADG812是一款低压CMOS器件，内置四个独立可选的开关。在整个温度范围内，这些开关具有小于0.8 Ω的超低导通电阻。采用2.7 V至3.6 V电源供电时，数字输入可以处理1.8 V逻辑。这些器件均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG811与ADG812的唯一不同是数字控制逻辑相反…
2020-04-27 15:22:24
ADG732双电源模拟开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载

片内锁存器有利于与微处理器实现接口。通过将CSA和CSB连接在一起，ADG726还可配置为差分工作模式。该器件提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。这些多路复用器采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、极低导通电阻和泄漏电流特性…
2020-04-27 15:22:24
ADG613双电源模拟开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载

ADG613-EP是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。此开关在整个输入信号范围内具有1 pC的超低电荷注入，25°C时的典型漏电流为0.01 nA。额定电源电压为±5 V、+5 V和3 V。它内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG613-EP内置具有数字控制逻辑的两个开关，逻…
2020-04-27 15:22:24
ADG888单电源模拟开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载

ADG888是一款低压、双通道双刀双掷（DPDT）CMOS器件，针对高性能音频切换进行了优化。它具有低功耗和小尺寸特性，堪称便携式设备应用的理想之选。在整个工作温度范围内，该器件具有小于0.8 Ω的超低导通电阻，因此非常适合要求极低开关失真的应用。ADG888还能够载送…
2020-04-27 15:22:21
ADG1213双电源模拟开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载

ADG1211 / ADG1212 /ADG1213均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用 iCMOS® （工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。 iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实…
2020-04-27 15:22:19
ADG811单电源模拟开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载

ADG811是一款低压CMOS器件，内置四个独立可选的开关。在整个温度范围内，这些开关具有小于0.8 Ω的超低导通电阻。采用2.7 V至3.6 V电源供电时，数字输入可以处理1.8 V逻辑。这些器件均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG811与ADG812的唯一不同是数字控制逻辑相反…
2020-04-27 15:22:17
ADG1212双电源模拟开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载

ADG1211/ADG1212/ADG1213均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用iCMOS®（工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的…
2020-04-27 15:22:16
ADG836L单电源模拟开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载

ADG836L是一款低压CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。在整个温度范围内，该器件具有小于0.8 Ω的超低导通电阻。额定电源电压为3.3 V、2.5 V和1.8 V。当接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。ADG836L为先开后合…
2020-04-27 15:22:15
ADG1211双电源模拟开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载

ADG1211/ ADG1212 / ADG1213均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用 iCMOS® （工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。 iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现…
2020-04-27 15:22:14