ADG1234双电源模拟开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载
ADG1233和ADG1234均为单芯片iCMOS®模拟开关，分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷SPDT开关。所有通道均采用先开后合式开关，防止开关通道时发生瞬时短路。ADG1233和ADG1234器件提供overbar: EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。iCMOS （工业CMO…
2020-04-27 15:21:46
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ADG1233和ADG1234均为单芯片iCMOS®模拟开关，分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷SPDT开关。所有通道均采用先开后合式开关，防止开关通道时发生瞬时短路。ADG1233和ADG1234器件提供overbar: EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。iCMOS （工业CMO…
2020-04-27 15:21:46ADG854是一款低压CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷（SPDT）开关。在整个温度范围内，该器件具有小于0.8 Ω的超低导通电阻。额定电源电压为5.5 V、3.3 V和2.5 V。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。ADG854为先开后合式…
2020-04-27 15:21:46
ADG1408/ADG1409均为单芯片iCMOS®模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG1408根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。ADG1409根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款…
2020-04-27 15:21:44
ADG1233和ADG1234均为单芯片iCMOS®模拟开关，分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷SPDT开关。所有通道均采用先开后合式开关，防止开关通道时发生瞬时短路。该器件提供overbar: EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。iCMOS （工业CMOS）是一种模块…
2020-04-27 15:21:44
ADG852是一款低压、CMOS、单刀双掷（SPDT）开关。在整个温度范围内，该器件具有小于1 Ω的超低导通电阻。额定电源电压为5.5 V和3.3 V。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。ADG852为先开后合式开关。该器件采用1.30 mm x 1.6…
2020-04-27 15:21:44
ADG1308和ADG1309均为单芯片模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG1308根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。ADG1309根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均…
2020-04-27 15:21:43
ADG1436是一款单芯片CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷（SPDT）开关。LFCSP封装器件提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电源电压的信号电…
2020-04-27 15:21:40
ADG1308和ADG1309均为单芯片模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG1308根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。ADG1309根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均…
2020-04-27 15:21:40
ADG1221/ADG1222/ADG1223均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用iCMOS（工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高…
2020-04-27 15:21:38
ADG1208和ADG1209均为单芯片 iCMOS®模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG1208根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。ADG1209根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两…
2020-04-27 15:21:36
ADG1411/ADG1412/ADG1413 是单片互补金属氧化物半导体 (CMOS) 套件，包含四个采用 iCMOS® 工艺设计的可独立选择开关。iCMOS（工业 CMOS）是一种将高电压 CMOS 和双极技术结合在一起的模块化制造工艺。它可促进各种高性能模拟 IC 的开发，这些 IC 能以 33 V 电压在前…
2020-04-27 15:21:36
ADG1221/ADG1222/ADG1223均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用iCMOS （工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的…
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ADG1411/ADG1412/ADG1413 是单片互补金属氧化物半导体 (CMOS) 套件，包含四个采用 iCMOS® 工艺设计的可独立选择开关。iCMOS（工业 CMOS）是一种将高电压 CMOS 和双极技术结合在一起的模块化制造工艺。它可促进各种高性能模拟 IC 的开发，这些 IC 能以 33 V 电压在前…
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ADG1208和ADG1209均为单芯片iCMOS® 模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG1208根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。ADG1209根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两…
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ADG1221/ADG1222/ADG1223均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用iCMOS （工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。 iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的…
2020-04-27 15:21:32
ADG1206和ADG1207均为单芯片iCMOS™ 模拟多路复用器，分别内置16个单通道和8个差分通道。ADG1206根据4位二进制地址线A0、A1、A2和A3所确定的地址，将16路输入之一切换至公共输出。ADG1207根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路差分输入之一切换至公共差…
2020-04-27 15:21:31
ADG772是一款低电压CMOS器件，包括两个独立选择的单刀双掷（SPDT）开关。一般用作通用开关设计的，支持USB 1.1及USB 2.0信号。 ADG772提供1260 Mbps数据速率，适合高频数据切换。导通时，每个开关在两个方向都表现优良，输入信号范围可以扩展至电源电压。ADG772执行…
2020-04-27 15:21:30
ADG1411/ADG1412/ADG1413均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用 iCMOS® 工艺设计的独立可选开关。iCMOS（工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺,可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往…
2020-04-27 15:21:29
ADG824是一款低压CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷（SPDT）开关。在整个温度范围内，该器件具有小于0.7 Ω的超低导通电阻。额定电源电压为3.3 V、2.5 V和1.8 V。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。ADG824为先开后合式…
2020-04-27 15:21:27
ADG1406与ADG1407是单芯片iCMOS®模拟多路复用器，分别包括16个单端通道和八个差分通道。ADG1406可以将16个输入中的一个切换到公共输出，具体由4位二进制地址线决定（A0， A1， A2和A3）。ADG1407可以将八个差分输入中的一个切换到公共差分输出，具体由3位二进制地址…
2020-04-27 15:21:27周一至周五
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