桥式电路的开关产生的电流和电压
在上一篇文章中,对SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路的导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行了解说。本文将介绍在SiC MOSFET
2020-09-18 15:50:15在上一篇文章中,对SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路的导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行了解说。本文将介绍在SiC MOSFET
2020-09-18 15:50:15从本文开始将探讨如何充分发挥全SiC功率模块的优异性能。此次作为栅极驱动的“其1”介绍栅极驱动的评估事项,在下次“其2”中介
2020-09-18 15:49:51本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET,以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程
2020-09-18 15:49:37上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示,MOSFET(不局限于SiC-MO
2020-09-18 15:49:35上一章针对与Si-MOSFET的区别,介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别:V
2020-09-18 15:49:32关于SiC-SBD,前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容,并探讨SiC-SBD的优势。SiC-SBD
2020-09-18 15:49:18为了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二极管为比较对象,对特性进行了说明。其中,也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代,性能得到了提升
2020-09-18 15:49:15面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的
2020-09-18 15:49:09现在的模拟器的电路模拟流程如下图所示 "电路描述" ⇒ "电路分析" ⇒"分析结果输出" 。由于GUI (Graphical User Interface 的简
2020-09-18 15:35:09全波整流和半波整流将AC(交流电压)转换为DC(直流电压)的整流方式有全波整流和半波整流。两种情况都利用了二极管的电流正向流
2020-09-18 15:34:32何谓ACAlternating Current(交流)的首字母缩写。AC是大小和极性(方向)随时间呈周期性变化的电流。电流极性在1秒内的变化次数
2020-09-18 15:34:21输入电流在"差分输入电压"和"同相输入电压"中,输入低于VEE-0.3V或高于VCC+0.3V的电压时,电流可能流入或流出输入引脚,使IC特性
2020-09-18 15:34:01工作在一般1.5bit/级结构的情况下,从决定了MSB的第1级开始依次流水线操作,从而反复进行以下的处理。(VREF:参考电压)采样(SH
2020-09-18 15:33:45ROHM贴片电阻器代表性产品MCR系列的制造流程如下。※ 实际上是指氧化铝电路板上的全体,但仅对一个芯片作说明。电阻器至产品详细
2020-09-18 15:28:05什么是分流电阻器(电流检测电阻器)?过去,为扩大电流的测量范围而作为分流器与电流计并联的电阻器称为分流器 (Shunt) ,近年
2020-09-18 15:28:03结构符号用途・特征对电源部的一次侧起到整流作用。容易获得1A以上、400V/600V的高耐压。整流二极管 (Rectifier Diode) 顾名思义
2020-09-18 15:27:21意法半导体推出L6983 38V/3A同步整流DC/DC转换器,在任何负载时都能保持高能效,最高能效达到95%,片上集成同步整流MOSFET晶体
2020-09-18 14:20:17意法半导体SRK1001副边同步整流控制器引入自适应功能,可降低整体物料成本,最大程度缩减电路尺寸,并简化电源适配器、充电器、U
2020-09-18 14:18:07意法半导体推出一款创新的抗辐射(rad-hard)可配置集成限流器(ICL),用于防止电涌和过载烧毁航天电子设备。基于欧洲航天局(ESA)
2020-09-18 14:16:21意法半导体推出高能效和低功耗为特色的反激式转换器副边同步整流(SR)芯片SRK1000A和SRK1000B,该产品系列现在新增一款更划算、封
2020-09-18 14:16:00