绝缘型反激式转换器电路设计：主要部件的选定－MOSFET相关(二)
在“主要部件的选定－MOSFET相关 其1”中选定MOSFET Q1，接下来将建构MOSFET外围的电路。首先，来重温电路工作。以D4、R5、R6调
2020-09-18 15:55:50
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在“主要部件的选定－MOSFET相关 其1”中选定MOSFET Q1，接下来将建构MOSFET外围的电路。首先，来重温电路工作。以D4、R5、R6调
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保护功能除了电源安全外，对于电路可靠性来说，也是一项非常重要的功能。保护功能大致上分成输入（过电压、防止低电压误动作等）
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图 25:Buck方式(连续模式时)Buck是降压的意思。Buck转换器是利用二极管整流的降压转换器，代表性用途为用在非绝缘降压开关的DC/D
2020-09-18 15:54:39
图 21:正激方式正激方式是构造较简单，容易控制，非常普遍的方式之一。其特征是输出功率比反激方式大，但必须加装电感和续流二极
2020-09-18 15:54:32
作为AC/DC转换的方法之一，也就是安装变压器，以变压器为主的方法。图3是采用变压器方式的一般构造。在此以输入电压100VAC为例。
2020-09-18 15:54:14
在此将说明AC（交流）电压转换成DC（直流）电压的基本方法，变压器方式和开关方式。此外，也将进行变压器方式和开关方式的比较探
2020-09-18 15:54:13这是新篇章“各转换器的传递函数”的第二章。下面将具体进行传递函数的导出。此次以降压转换器的导出为例。参照前面章节一并阅读
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作为斜率的传递函数，导出了具有代表性的控制方法电压模式和电流模式的传递函数。在这里，将导出电流模式（峰值电流模式）的调制
2020-09-18 15:53:31
前面作为斜率的传递函数，我们的导出“电压模式的传递函数”，并进行了“电流模式的考察”。这里将结合与电压模型的对比来导出电
2020-09-18 15:53:28
斜率的传递函数的第二点，下面我们将接着上一次的电压模式，来讨论电流模式的传递函数。图3电流模式的考察DC/DC转换器中的电流模
2020-09-18 15:53:26
在这里，将介绍斜率的传递函数。以下的图是指“传递函数和导出的基础概念”中使用过的的图2，接下来将对继续上一节误差放大器G1(
2020-09-18 15:53:23
前项中，通过“传递函数”的观点说明传递函数的基础概念。在这里，介绍具体的电路模块的传递函数。首先从“放大器的传递函数”开
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以各模块计算具体的传递函数之前，在导出传递函数时，确认两个重要的定律。一个是指基尔霍夫的电流定律。本定律是指“任意的节点
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上一篇文章中，介绍了开关电源输入用共模滤波器中包括电容器、电感、铁氧体磁珠和电阻等部件。接下来将对其中使用电容和电感降噪
2020-09-18 15:52:36
继上一篇临界模式PFC的例子之后，本文将探讨电流连续模式PFC的二极管特性差异带来的效率差异。利用二极管改善电流连续模式PFC电
2020-09-18 15:51:23
本文介绍ROHM命名为“Hybrid MOS”的、同时具备MOSFET和IGBT两者优势的MOSFET。产品位于下图最下方红色框内。同时具备MOSFET和IG
2020-09-18 15:50:49
上一章基于ROHM的SJ-MOSFET产品阵容，以标准AN系列、低噪声EN系列、高速KN系列为例介绍了SJ-MOSFET的特征。本章将以SJ-MOSFET的t
2020-09-18 15:50:47
最后一篇谈及Si二极管。本篇将说明快速恢复二极管（以下简称为FRD）的特征、改善特性及其相关应用。Si-FRD的特征Si-FRD是PN结二
2020-09-18 15:50:28
本篇所例举的是用于高耐压、高电流的二极管，但按照其特性、特征、制造工艺可进行以下分类。此时，对二极管基本的应用条件而言，
2020-09-18 15:50:23
首先，在这里介绍用作硅功率元器件的二极管种类，及堪称硅半导体之基本的二极管最基础内容。Si二极管的分类考虑Si二极管的分类时
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