探讨高输出电流应用时的注意事项 其2
上一篇文章中，介绍了在探讨输出电流较大的应用时应该注意的两个注意事项中的第一项。关键要点是要想提高输出电流，需要使用导通
2020-09-18 16:02:31
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上一篇文章中，介绍了在探讨输出电流较大的应用时应该注意的两个注意事项中的第一项。关键要点是要想提高输出电流，需要使用导通
2020-09-18 16:02:31
上一篇文章介绍了输入电压升高时损耗增加的部分、注意事项及相应的对策。本文将介绍在探讨输出电流较大的应用时应该注意的两个事
2020-09-18 16:02:28
上一篇文章探讨了通过提高开关频率来实现应用小型化时的注意事项。本文将通过输入电压升高的案例，来探讨损耗增加部分、注意事项
2020-09-18 16:02:25
上一篇文章介绍了不同条件下的主要损耗因素。从本文开始，将介绍为了满足应用的规格要求，在探讨工作和运行等过程中应该注意的主
2020-09-18 16:02:23
上一篇文章中探讨了同步整流降压转换器的功率开关–输出端MOSFET的传导损耗。本文将探讨开关节点产生的开关损耗。开关损耗
2020-09-18 16:01:59
上一篇文章中介绍了同步整流降压转换器的开关节点产生的开关损耗。本文将探讨开关节产生的死区时间损耗。死区时间损耗死区时间损
2020-09-18 16:01:56
在上一篇文章中，我们了解了同步整流降压转换器的损耗发生位置，并介绍了转换器整体的损耗是各部位的损耗之和。从本文开始将探讨
2020-09-18 16:01:53
本文开始探讨同步整流降压转换器的损耗。首先，我们来看一下同步整流降压转换器发生损耗的部位。然后，会对各部位的损耗进行探讨
2020-09-18 16:01:51
接下来就具体的元器件配置进行介绍。本次介绍以下项目中的第三项“输入电容器和二极管的配置”。降压型转换器工作时的电流路径开
2020-09-18 16:00:06
下述的各条目，在关于“重要检查点”规格以外确认，前项已经说明“MOSFET的漏极电压和电流、及输出整流二极管的耐压”。这里将说
2020-09-18 15:58:26
上一篇文章中介绍了故障①“当二次侧MOSFET立即关断时”的对策，同时也提到了相应对策的注意事项。本文将介绍当二次侧MOSFET在轻
2020-09-18 15:57:56
本文将从设计角度首先对在设计中使用的电源IC进行介绍。如“前言”中所述，本文中会涉及“准谐振转换器”的设计和功率晶体管使用
2020-09-18 15:56:38
上一篇和上上篇介绍了“升降压转换器的传递函数导出示例”的其1和其2。本文将探讨“开关的导通电阻对传递函数的影响”。本次也采
2020-09-18 15:54:09
从本篇开始，介绍近年来MOSFET中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。功率晶体管的特征与定位首先来看近年来的主要功率晶体管Si-M
2020-09-18 15:50:41
上一篇文章对全SiC模块栅极驱动的评估事项之一“栅极误导通”进行了介绍。本文将作为“其2”介绍栅极误导通的处理方法。“栅极误
2020-09-18 15:49:53
从本文开始将探讨如何充分发挥全SiC功率模块的优异性能。此次作为栅极驱动的“其1”介绍栅极驱动的评估事项，在下次“其2”中介
2020-09-18 15:49:51
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：V
2020-09-18 15:49:32
从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细
2020-09-18 15:49:29
继前篇结束的SiC-SBD之后，本篇进入SiC-MOSFET相关的内容介绍。功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应
2020-09-18 15:49:24近距离无线通信的划分 近距离无线通信没有详细的划分，通常是指前述的WPAN或WLAN的通信距离所使用的无线通信。最近，出现了利用
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