ADG5412闩锁效应抑制和高ESD开关和多路利用器参数介绍及中文PDF下载
ADG5412/ADG5413内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG5412开关的接通条件是相关控制输入为逻辑1。ADG5413有两个开关的数字控制逻辑与ADG5412相似,其它两个开关的控制逻辑则相反。当接通时,各开关在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压范围。在…
2020-04-27 15:20:04ADG5412/ADG5413内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG5412开关的接通条件是相关控制输入为逻辑1。ADG5413有两个开关的数字控制逻辑与ADG5412相似,其它两个开关的控制逻辑则相反。当接通时,各开关在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压范围。在…
2020-04-27 15:20:04ADG4612和ADG4613内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG4612开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑1。ADG4613有两个开关的数字控制逻辑与ADG4612相似,但其它两个开关的控制逻辑则相反。当接通时,各开关在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压范…
2020-04-27 15:19:58ADG5212/ADG5213内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG5212开关的导通条件是相关控制输入为逻辑1。ADG5213有两个开关的数字控制逻辑与ADG5212相似,其它两个开关的控制逻辑则相反。当导通时,各开关在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压范围。在…
2020-04-27 15:19:52ADG5212/ADG5213内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG5212开关的导通条件是相关控制输入为逻辑1。ADG5213有两个开关的数字控制逻辑与ADG5212相似,其它两个开关的控制逻辑则相反。当导通时,各开关在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压范围。在…
2020-04-27 15:19:50ADG5412F和ADG5413F均内置四个独立控制的单刀单掷(SPST)开关。 ADG5412F具有四个通过逻辑1输入打开的开关。 ADG5413F具有两个通过逻辑1输入打开的开关和两个通过逻辑1输入关闭的开关。 当接通时,各开关在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压范围…
2020-04-27 15:19:29ADG5412BF和ADG5413BF均内置四个独立控制的单刀单掷(SPST)开关。 ADG5412BF具有四个通过逻辑1输入打开的开关。 ADG5413BF具有两个通过逻辑1输入打开的开关和两个通过逻辑1输入关闭的开关。 当接通时,各开关在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压…
2020-04-27 15:19:26ADG5412F和ADG5413F均内置四个独立控制的单刀单掷(SPST)开关。 ADG5412F具有四个通过逻辑1输入打开的开关。 ADG5413F具有两个通过逻辑1输入打开的开关和两个通过逻辑1输入关闭的开关。 当接通时,各开关在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压范围…
2020-04-27 15:19:23ADG5412BF和ADG5413BF均内置四个独立控制的单刀单掷(SPST)开关。 ADG5412BF具有四个通过逻辑1输入打开的开关。 ADG5413BF具有两个通过逻辑1输入打开的开关和两个通过逻辑1输入关闭的开关。 当接通时,各开关在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压…
2020-04-27 15:19:19HMC750是一款限幅放大器,支持高达12.5 Gbps的数据传输速率。 该放大器可在各种输入电压电平范围内工作,提供恒定的差分输出摆幅。 HMC750还具有输出电平控制引脚VC1,,可用于损耗补偿或信号电平优化。 差分输出信号摆幅可调节至880 mVp-p。高于3 mVp-p的输入信号可…
2020-04-27 15:18:25LTC®2974 是一款 4 通道电源系统管理器,用于排序、修整 (伺服)、裕度调节、监控、管理故障、提供远端采样和创建故障记录。PMBus 命令支持电源排序、精准负载点电压调节和裕度调节。DAC 采用一种专有软连接算法以最大限度地抑制电源扰动。监控功能包括针对 4 个电源…
2020-04-27 15:17:51LTC®2977 是一款 8 通道电源系统管理器,用于排序、修整 (伺服)、裕度调节、监控、管理故障、提供远端采样和创建故障记录。PMBus 命令支持电源排序、精准负载点电压调节和裕度调节。DAC 采用一种专有软连接算法以最大限度地抑制电源扰动。监控功能包括针对 8 个电源…
2020-04-27 15:17:49LT1161 是一款四通道高端栅极驱动器,它允许采用低成本 N 沟道功率 MOSFET 来满足高端开关应用的需要。该器件具有 4 个独立的开关通道,这些通道各包含一个完全独立的充电泵,用于在不使用外部组件的情况下全面强化一个 N 沟道 MOSFET 开关。另外,在每个开关通道中…
2020-04-27 15:17:45LTC®1163 / LTC1165 三通道低电压 MOSFET 驱动器使得能够采用低至 1.8V 电源通过便宜的低 RDS(ON) N 沟道开关来切换电源或接地参考负载。LTC1165 具有反相输入,因而能在保持系统驱动极性的情况下直接替换 P 沟道 MOSFET 开关。LTC1163 具有同相输入。微功率操作 (…
2020-04-27 15:17:43LTC®1163 / LTC1165 三通道低电压 MOSFET 驱动器使得能够采用低至 1.8V 电源通过便宜的低 RDS(ON) N 沟道开关来切换电源或接地参考负载。LTC1165 具有反相输入,因而能在保持系统驱动极性的情况下直接替换 P 沟道 MOSFET 开关。LTC1163 具有同相输入。微功率操作 (…
2020-04-27 15:17:40LTC®1623 SMBus 开关控制器是一款从属器件,其用于控制 SMBus 或 I2C 总线上的两个高压侧 N 沟道 MOSFET。LTC1623 采用 2.7V 至 5.5V 的输入电压工作,并具有 14μA (在 3.3V) 的低待用电流。按照 SMBus 规范,LTC1623 在整个电源电压范围内保持了 0.6V VIL 和 1.4V…
2020-04-27 15:17:27LTC®1693 系列以高速驱动功率 N 沟道 MOSFET。1.5A 峰值输出电流降低了具有高栅极电容之 MOSFET 中的开关损耗。LTC1693-1 包含两个同相驱动器,而 LTC1693-2 则包含一个同相驱动器和一个反相驱动器。这些双路驱动器是电隔离和独立的。LTC1693-3 是具有一个输出极性…
2020-04-27 15:17:13LTC®1693-5 以高速驱动功率 P 沟道 MOSFET。1.5A 峰值输出电流降低了具有高栅极电容之 MOSFET 中的开关损耗。LTC1693-5是具有一个输出极性选择引脚的单路驱动器。该 MOSFET 驱动器提供与 VCC 无关的 CMOS 输入门限和 1.2V 典型迟滞。它能够对输入逻辑信号进行电平移…
2020-04-27 15:17:04LTC®1647-1 / LTC1647-2 / LTC1647-3 是双通道热插拔 (Hot Swap™) 控制器,允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。 通过采用外部 N 沟道 MOSFET,能够以一种可编程速率使电路板电源电压斜坡上升。一个高端开关驱动器用于控制 MOSFET 栅极,以获得 2.7V 至 1…
2020-04-27 15:16:57LTC®1646 是热插拔 (Hot Swap™) 控制器,允许电路板在带电的 CompactPCI 总线插槽安全地进行插拔操作。两个外部 N 通道三极管控制 3.3V 和 5V 电源。电源能够在电流限制或可编程的速率情况下斜坡上升。电子电路断路器保护两个电源免遭过流故障情况损坏。PWRGD 输…
2020-04-27 15:16:54LT®1640AL/LT1640AH 是一种 8 引脚 Hot Swap™ 热插拔负压控制器,它允许将电路板安全地从带电的背板中插入或拔出。通过控制外接 N 沟道调整管的栅极电压可将浪涌电流限制到设置值。若输入电压小于设置的欠压门限值或大于过压门限值,则调整管截止。可设置电子断路…
2020-04-27 15:16:39