LTC2188标准高速模数转换器>20MSPS参数介绍及中文PDF下载
LTC®2188 是一款两通道同时采样 16 位 A/D 转换器，专为对高频、宽动态范围信号进行数字化处理而设计。这些器件非常适合要求苛刻的通信应用，其 AC 性能包括 77dB SNR 和 90dB 无寄生动态范围 (SFDR)。0.07psRMS的超低抖动实现了 IF 频率的欠采样和卓越的噪声性能。…
2020-04-27 15:27:34
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LTC®2188 是一款两通道同时采样 16 位 A/D 转换器，专为对高频、宽动态范围信号进行数字化处理而设计。这些器件非常适合要求苛刻的通信应用，其 AC 性能包括 77dB SNR 和 90dB 无寄生动态范围 (SFDR)。0.07psRMS的超低抖动实现了 IF 频率的欠采样和卓越的噪声性能。…
2020-04-27 15:27:34
MUX-08是一款单芯片8通道模拟多路复用器；它根据3位二进制地址的状态，将单路输出与8路模拟输入之一相连。 MUX-24是一款单芯片4通道差分模拟多路复用器，配置为双刀四位（带“关断”）电子开关阵列。2位二进制输入地址将各4通道输入部分的一对独立模拟输入与对应的一…
2020-04-27 15:24:44
ADG413是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG413有两个开关的接通条件是相关控制输入为逻辑高电平，而其它两个开关的控制逻辑则相反。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同…
2020-04-27 15:24:23
ADG412是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。ADG412开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑高电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所…
2020-04-27 15:24:04
ADG713是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和高带宽特性。ADG713采用+1.8 V至+5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合Analog Devices, Inc.（简称ADI）的新…
2020-04-27 15:23:49
ADG712是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。它采用先进的亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和高带宽特性。ADG712采用+1.8 V至+5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合Analog Devices, Inc.（简称ADI）的新…
2020-04-27 15:23:46
ADG611、ADG612和ADG613均为单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。+25ºC时，这些开关提供1 pC的超低电荷注入和100 pA的泄漏电流。上述器件的额定电源电压为±5 V、5 V和3 V，均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG611与ADG612的唯一不同是数字控制逻辑相反。…
2020-04-27 15:22:46
ADG611、ADG612和ADG613均为单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。+25ºC时，这些开关提供1 pC的超低电荷注入和100 pA的泄漏电流。上述器件的额定电源电压为±5 V、5 V和3 V，均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG611与ADG612的唯一不同是数字控制逻辑相反。…
2020-04-27 15:22:45
ADG812是一款低压CMOS器件，内置四个独立可选的开关。在整个温度范围内，这些开关具有小于0.8 Ω的超低导通电阻。采用2.7 V至3.6 V电源供电时，数字输入可以处理1.8 V逻辑。这些器件均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG811与ADG812的唯一不同是数字控制逻辑相反…
2020-04-27 15:22:24
ADG613-EP是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。此开关在整个输入信号范围内具有1 pC的超低电荷注入，25°C时的典型漏电流为0.01 nA。额定电源电压为±5 V、+5 V和3 V。它内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG613-EP内置具有数字控制逻辑的两个开关，逻…
2020-04-27 15:22:24
ADG1211 / ADG1212 /ADG1213均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用 iCMOS® （工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。 iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实…
2020-04-27 15:22:19
ADG811是一款低压CMOS器件，内置四个独立可选的开关。在整个温度范围内，这些开关具有小于0.8 Ω的超低导通电阻。采用2.7 V至3.6 V电源供电时，数字输入可以处理1.8 V逻辑。这些器件均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG811与ADG812的唯一不同是数字控制逻辑相反…
2020-04-27 15:22:17
ADG1211/ADG1212/ADG1213均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用iCMOS®（工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的…
2020-04-27 15:22:16
ADG1211/ ADG1212 / ADG1213均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用 iCMOS® （工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。 iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现…
2020-04-27 15:22:14
ADG1311/ADG1312/ADG1313均为单芯片CMOS器件，内置四个采用CMOS工艺设计的独立可选开关。ADG1311/ADG1312/ADG1313均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG1311与ADG1312的唯一不同是数字控制逻辑相反。ADG1311开关的接通条件是相关控制输入为逻辑0，而ADG1312则要求…
2020-04-27 15:22:02
ADG1311/ADG1312/ADG1313均为单芯片CMOS器件，内置四个采用CMOS工艺设计的独立可选开关。 ADG1311/ADG1312/ADG1313均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG1311与ADG1312的唯一不同是数字控制逻辑相反。ADG1311开关的接通条件是相关控制输入为逻辑0，…
2020-04-27 15:21:59
ADG1311/ADG1312/ADG1313均为单芯片CMOS器件，内置四个采用CMOS工艺设计的独立可选开关。 ADG1311/ADG1312/ADG1313均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG1311与ADG1312的唯一不同是数字控制逻辑相反。ADG1311开关的接通条件是相关控制输入为逻辑0，…
2020-04-27 15:21:57
ADG1236是一款单芯片CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷（SPDT）开关。它采用iCMOS®工艺设计。iCMOS（工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS（互补金属氧化物半导体）与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实…
2020-04-27 15:21:55
ADG1433/ADG1434均为单芯片工业CMOS(iCMOS) 模拟开关，分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。所有通道均采用先开后合式开关，防止开关通道时发生瞬时短路。ADG1433（LFCSP和TSSOP封装）和ADG1434（仅LFCSP封装）提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，…
2020-04-27 15:21:49
ADG1233和ADG1234均为单芯片iCMOS®模拟开关，分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷SPDT开关。所有通道均采用先开后合式开关，防止开关通道时发生瞬时短路。该器件提供overbar: EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。iCMOS （工业CMOS）是一种模块…
2020-04-27 15:21:44周一至周五
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