新研究发现小锂金属强度大可抑制树突生长 让电池多存储50%能量
几乎很多人都遇到手机没电又无处可充电的窘境,而且虽然电动汽车越来越受欢迎,但也受到电池对续航的制约。的确,电池的能量密度
2020-09-14 10:04:10通过逐个元器件更改元器件地址(A2,A1,A0)的设定,可以使用多个EEPROM。图示为Device1:(0,0,0)Device2:(0,0,1)的设定示例。通
2020-09-18 15:34:15【I2C】引脚名输入输出功能SCL输入串行时钟输入SDA输入输出串行时钟输入/输出通过双线对EEPROM进行控制。可通过A0、A1、A2的各引
2020-09-18 15:34:13EEPROM的常规接口有3个分别是Microwire和SPI与I2C。这些接口各自具有技术特点。请选择符合客户需求的接口。【I2C】微型控制器的
2020-09-18 15:34:12FLASH存储单元构成数据的写入方法数据的删除方法NOR FLASH至产品详细网页元器件原理<EEPROM>接口的选择方法
2020-09-18 15:34:11EEPROM存储单元构成由2个晶体管单元构成数据的写入方法数据的删除方法EEPROM前往詳細產品頁面元器件原理<Mask ROM>元器件原理
2020-09-18 15:34:09Mask ROM存储单元构成高度集成化的NAND构成。(1个晶体管单元)数据的写入方法在Wafer过程内写入信息"1":将离子注入晶体管"0":
2020-09-18 15:34:08存储单元构成由6个晶体管单元构成由4个晶体管单元(高电阻负载型单元)构成数据的写入方法<"1" 时>Word线电位为 high给予Bit线
2020-09-18 15:34:07存储单元构成由1个晶体管、1个电容器构成数据的写入方法<"1" 时>Word线电位为 highBit线电位为 highWord线电位为 lowDRAM至产
2020-09-18 15:34:06半导体存储器是指通过对半导体电路加以电气控制,使其具备数据存储保持功能的半导体电路装置。与磁盘和光盘装置等相比,具有数据
2020-09-18 15:34:04几乎很多人都遇到手机没电又无处可充电的窘境,而且虽然电动汽车越来越受欢迎,但也受到电池对续航的制约。的确,电池的能量密度
2020-09-14 10:04:10在云、大数据、AI、5G驱动的新基建趋势下,数据存储平台在智算中心里肩负着数据存、管、用的重任,直接决定着数据生产要素效率的
2020-08-18 11:39:46翻译自——allaboutcircuits近日,来自澳大利亚研究人员声称,超锂离子电池可以开发出适用于高级储能的新型阴极。如今,对清洁、
2020-08-01 10:09:08内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司) 近日宣布启动一项综合的赋能计划,率先为业界提供
2020-07-16 11:14:03Maxim Integrated Products, Inc 近日宣布推出MAX32670低功耗Arm®Cortex®-M4微控制器(MCU),器件带有浮点运算单元,在有效降低
2020-06-28 09:44:14LTC®3831 是一款专为 DDR 存储器终端而设计的高功率、高效率开关稳压控制器。LTC3831 可产生一个等于 1/2 外部电源或基准电压的输出电压。LTC3831 采用同步开关架构和 N 沟道 MOSFET。此外,该芯片还可通过上端 N 沟道 FET 的漏-源极电阻来检测输出电流,因而能够在…
2020-04-27 15:07:05LTC®3717 是一款用于双倍数据速率 (DDR) 和四倍数据速率 (QDR) 存储器终端的同步降压型开关稳压控制器。该控制器采用一种谷值电流控制架构以提供非常低的占空比,并不需要使用一个检测电阻器。工作频率利用一个外部电阻器来选择,并针对 VIN 的变化进行补偿。强制连…
2020-04-27 15:06:57LTC®3413 是一款采用恒定频率电流模式架构的高效单片同步降压型 DC/DC 转换器。它可在 2.25V 至 5.5V 的输入电压范围内工作,并能在供应或吸收高达 3A 的输出电流的同时提供一个大小为 0.5V * VREF 的已调输出电压。由于采用了一个内部分压器,所以减少了组件数目,…
2020-04-27 15:06:19LTC®3718 是一款用于 DDR 和 QDR™ 存储器终端的高电流、高效率同步开关稳压控制器。该器件采用一个低至 1.5V 的输入工作,并提供一个等于 (0.5)VIN 的稳定输出电压。该控制器采用一种谷值电流控制架构以实现高工作频率和非常低的接通时间,而无需使用一个检测电阻…
2020-04-27 15:06:04LTC®3717-1 是一款用于双倍数据速率 (DDR) 和四倍数据速率 (QDR) 存储器终端的同步降压型开关稳压控制器。该控制器采用一种谷值电流控制架构,以在采用和未采用检测电阻器的情况下提供非常低的占空比。工作频率利用一个外部电阻器来选择,并针对 VIN 和 VOUT 中的变…
2020-04-27 15:04:57LTC®3831-1 是一款专为 DDR 存储器终端而设计的高功率、高效率开关稳压控制器。LTC3831-1 可产生一个等于 1/2 外部电源或基准电压的输出电压。LTC3831-1 采用同步开关架构和 N 沟道 MOSFET。此外,该芯片还可通过上端 N 沟道 FET 的漏-源极电阻来检测输出电流,因而…
2020-04-27 15:04:31