LTC®2310-16 是一款低噪声、高速、16 位逐次逼近型寄存器 (SAR) ADC，其具有差分输入和宽输入共模范围。LTC2310-16 采用单 3.3V 或 5V 工作电源，具有一个 8VP-P 的差分输入范围，从而使之非常适合那些要求宽动态范围和高共模抑制的应用。LTC2310-16 实现了 ±3LSB …
2020-04-27 15:33:31
LTC®2310-14 是一款低噪声、高速、14 位带符号位逐次逼近型寄存器 (SAR) ADC，其具有差分输入和宽输入共模范围。LTC2310-14 采用单 3.3V 或 5V 工作电源，具有一个 8VP-P 的差分输入范围，从而使之非常适合那些要求宽动态范围和高共模抑制的应用。LTC2310-14 实现了…
2020-04-27 15:33:29
LTC®2311-16 是一款低噪声、高速、16 位逐次逼近型寄存器 (SAR) ADC，其具有差分输入和宽输入共模范围。LTC2311-14 采用单 3.3V 或 5V 工作电源，具有一个 8VP-P 的差分输入范围，从而使其非常适合于那些要求宽动态范围和高共模抑制的应用。LTC2311-14 实现了 ±3LS…
2020-04-27 15:33:26
LTC®2311-14 是一款低噪声、高速、14 位带符号位逐次逼近型寄存器 (SAR) ADC，其具有差分输入和宽输入共模范围。LTC2311-14 采用单 3.3V 或 5V 工作电源，具有一个 8VP-P 的差分输入范围，从而使其非常适合于那些要求宽动态范围和高共模抑制的应用。LTC2311-14 实现…
2020-04-27 15:33:24
LTC®6903 / LTC6904 是低功率独立型数字频率源，可提供一个 1kHz 至 68MHz 的精准频率 (通过一个串行端口来设定)。除了一个电源旁路电容器以外，LTC6903 / LTC6904 不需要任何的外部元件，而且它们采用 2.7V 至 5.5V 的宽电压范围单工作电源。LTC6903 / LTC6904 具…
2020-04-27 15:25:35
LTC®6909 是一款易于使用的精准振荡器，它能够提供1、2、3、4、5、6、7 或 8 相同步输出。LTC6909 还提供了扩频调制 (SSFM) 功能，可启用该电路来改善电磁兼容性 (EMC) 性能。8 个单独的输出提供了多达 8 个轨至轨、50% 占空比时钟信号。利用 3 个逻辑输入对输出进…
2020-04-27 15:25:28
LTC®6903 / LTC6904 是低功率独立型数字频率源，可提供一个 1kHz 至 68MHz 的精准频率 (通过一个串行端口来设定)。除了一个电源旁路电容器以外，LTC6903 / LTC6904 不需要任何的外部元件，而且它们采用 2.7V 至 5.5V 的宽电压范围单工作电源。LTC6903 / LTC6904 具…
2020-04-27 15:25:27LTC®4444 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4444 针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自…
2020-04-27 15:16:57
LTC®4440A-5 是一款高频、高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，专为在具有高达 80V VIN 电压的应用中运作而设计。而且，LTC4440A-5 还能安全承受 100V VIN 瞬变并在此瞬变过程中继续运行。强大的驱动器能力可降低具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4440A-5 的上拉电…
2020-04-27 15:16:55
LTC®7004 是一款快速、高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，采用高达 60V 的输入电压工作。该器件包含一个负责全面增强外部 N 沟道 MOSFET 开关的内部充电泵，因而使其能够无限期地保持导通。其强大的驱动器能够容易地以非常短的转换时间驱动大的栅极电容，从而使之非…
2020-04-27 15:16:52
LTC®4444-5 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4444-5 针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位…
2020-04-27 15:16:51
LTC®7003 是一款快速、高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，采用高达 60V 的输入电压工作。该器件包含一个负责全面增强外部 N 沟道 MOSFET 开关的内部充电泵，因而使其能够无限期地保持导通。其强大的驱动器能够容易地以非常短的转换时间驱动大的栅极电容，从而使之非…
2020-04-27 15:16:49
LTC®7001 是一款快速、高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，采用高达 135V 的输入电压工作。该器件包含一个负责全面增强外部 N 沟道 MOSFET 开关的内部充电泵，因而使其能够无限期地保持导通。其强大的驱动器能够容易地以非常短的转换时间驱动大的栅极电容，从而使之…
2020-04-27 15:16:46
LT®4320 / LT4320-1 是理想二极管桥控制器，可驱动 4 个 N 沟道 MOSFET，支持从 DC 至 600Hz (典型值) 的电压整流。通过最大限度地增加可用电压并降低功耗 (见热录像仪比较)，该理想二极管桥控制器简化了电源设计并降低了电源成本，尤其是在低电压应用中。另外，理…
2020-04-27 15:13:23
LTC®2938/LTC2939 是可配置电源监视器，面向那些具有多达 4 个或 6 个需要进行看门狗监控的电源电压的系统。可采用一个连接至编程输入引脚的外部阻性分压器，在 16 种预设或可调电压监视器组合中选择其一。预设电压门限的准确度在整个温度范围内达 ±1.5%。LTC2938 …
2020-04-27 15:10:28
LTC7060 以半桥配置驱动 N 通道 MOSFET，其电源电压高达 100 V。它具有独立于电源的三态 PWM 输入逻辑特性。其独特的浮动架构使栅极驱动器输出具有鲁棒性并且对接地噪声不敏感。对称设计允许反相或同相的半桥开关节点输入逻辑。具有 0.8Ω 下拉和1.5Ω 上拉容量，其…
2020-04-27 15:09:03
LTC®1871 是一种用于驱动 N 沟道功率 MOSFET 并只需极少外部组件的宽输入、电流模式、升压、反激和 SEPIC 控制器。由于它是对中、小功率应用，因此 LTC1871 可通过利用功率 MOSFET 的导通电阻而省去电流检测电阻的需要，由此最大限度地提高了效率。 该 IC 的工作频…
2020-04-27 15:06:28
LT®1936 是一款电流模式 PWM 降压型 DC/DC 转换器，具有一个内部 1.9A 电源开关，采用纤巧的耐热性能增强型 8 引脚 MSOP 封装。3.6V 至 36V 的宽输入范围使得 LT1936 很适合于对来自各种电源 (包括汽车电池、24V 工业电源和未调整的墙上适配器) 的功率进行调节。其…
2020-04-27 15:03:45
LTC®3805 是一款用于反激式 DC/DC 转换器的电流模式控制器，专为在高输入和输出电压转换器应用中驱动一个 N 沟道 MOSFET 而设计。工作频率和斜率补偿可利用外部电阻器来设置。可编程过流检测电路负责保护转换器免遭短路的损坏。软起动功能可采用一个外部电容器来设…
2020-04-27 15:03:06
LTC®3824 是一款降压型 DC/DC 控制器，专为驱动一个外部 P 沟道 MOSFET 而设计。凭借一个 4V 至 60V 的宽输入范围和一个高电压栅极驱动器，LTC3824 成为许多工业和汽车高功率应用的合适之选。恒定频率电流模式操作实现了卓越的性能。 LTC3824 可以被配置为执行突发…
2020-04-27 15:03:02周一至周五
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