LTC115_技术搜索

LTC1156高压侧开关和MOSFET驱动器参数介绍及中文PDF下载

LTC®1156 四通道高压侧栅极驱动器允许在高压侧开关应用中使用低成本的 N 沟道 FET。一个内部充电泵把栅极驱动电压提升至正电源轨以上，从而在未使用任何外部组件的情况下全面地强化了一个 N 沟道 MOS 开关。微功率操作 (具有 16μA 待用电流和 95μA 工作电流) 使其…
2020-04-27 15:18:03
LTC1155高压侧开关和MOSFET驱动器参数介绍及中文PDF下载

The H (Metal Can), J (Ceramic), and K (Metal Can) Packages From Linear Technology Are Now Obsolete LTC®1155 双通道高端栅极驱动器允许在高端开关应用中使用低成本的 N 沟道 FET。一个内部充电泵把栅极驱动电压提升至正电源轨以上，从而在未使用任何外部组件…
2020-04-27 15:18:00
LTC1154高压侧开关和MOSFET驱动器参数介绍及中文PDF下载

LTC®1154 单通道高压侧栅极驱动器允许在高压侧开关应用中使用低成本的 N 沟道 FET。一个内部充电泵把栅极驱动电压提升至正电源轨以上，从而在未使用任何外部元件的情况下全面地强化了一个 N 沟道 MOS 开关。微功率操作 (待机电流为 8μA，工作电流为 85μA) 使其在…
2020-04-27 15:17:50
LTC1157高压侧开关和MOSFET驱动器参数介绍及中文PDF下载

LTC®1157 双通道 3.3V 微功率 MOSFET 栅极驱动器使得能够通过一个低 RDS(ON) N 沟道开关 (在 3.3V 时需要采用 N 沟道开关，因为 P 沟道 MOSFET 在 VGS ≤ 3.3V 时不具备有保证的 RDS(ON)) 切换电源或接地参考负载。LTC1157 的内部充电泵把栅极驱动电压提升至正电源…
2020-04-27 15:17:48
LTC1150ADA4522产品系列参数介绍及中文PDF下载

LTC®1150 是一款高电压、高性能、零漂移运算放大器。其他斩波放大器通常在外部需要的两个采样及保持电容器实现了片内集成。而且，LTC (现隶属 ADI) 专有的高电压 CMOS 结构还允许 LTC1150 在高达 32V (总值) 的电源电压下工作。LTC1150 具有 0. 5μV 的失调电压、0.…
2020-04-26 22:15:34
LTC1151ADA4522产品系列参数介绍及中文PDF下载

LTC®1151 是一款高电压、高性能双通道零漂移运算放大器。其他斩波器放大器需要在外部为每个放大器采用两个采样及保持电容器，而该器件则实现了这些电容器的片内集成。另外，LTC1151 还运用了专有的高电压 CMOS 结构，从而允许在高达 36V 的总电源电压条件下工作。LT…
2020-04-26 22:14:49
LTC1152精密放大器(Vos<1mV且TCVos<2uV/C)参数介绍及中文PDF下载

LTC®1152 是一款高性能、低功率零漂移运放，其具有一个共模至两个电源轨的输入级和一个提供轨至轨摆幅的输出级，即使驱动重负载时也不例外。宽输入共模范围利用一个高频内置充电泵实现。这种方法消除了采用同类竞争技术时所造成的交叉失真和 CMRR 受限情况。LTC1152…
2020-04-26 22:13:22