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低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作

上一篇文章中介绍了LS开关导通时栅极 – 源极间电压的动作。本文将继续介绍LS关断时的动作情况。低边开关关断时的栅极 – 源极间
2021-06-01 14:16:19
低边开关导通时的Gate-Source间电压的动作

上一篇文章中，简单介绍了SiC MOSFET桥式结构中栅极驱动电路的开关工作带来的VDS和ID的变化所产生的电流和电压情况。本文将详细
2021-06-01 14:16:14
重要检查点：MOSFET的VDS和IDS、输出整流二极管的耐压

前项介绍了从绝缘型反激式转换器的机上设计开始，接着试作并进入评估，评估是否符合设计目标，也就是输出电压和效率等电源规格的
2020-09-18 15:58:23
故障排除(Trouble Shooting) ③：当VDS2受浪涌影响超过二次侧MOSFET的VDS耐压时

继故障①“当二次侧MOSFET立即关断时”、故障②“当二次侧MOSFET在轻负载时因谐振动作而导通时”之后，本文将介绍故障③“当VDS2
2020-09-18 15:57:59
桥式电路的开关产生的电流和电压

在上一篇文章中，对SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路的导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行了解说。本文将介绍在SiC MOSFET
2020-09-18 15:50:15
与IGBT的区别

上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：V
2020-09-18 15:49:32
所谓SiC-MOSFET－特征

继前篇结束的SiC-SBD之后，本篇进入SiC-MOSFET相关的内容介绍。功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应
2020-09-18 15:49:24