所谓二极管-分类与特性
首先,在这里介绍用作硅功率元器件的二极管种类,及堪称硅半导体之基本的二极管最基础内容。Si二极管的分类考虑Si二极管的分类时
2020-09-18 15:50:20首先,在这里介绍用作硅功率元器件的二极管种类,及堪称硅半导体之基本的二极管最基础内容。Si二极管的分类考虑Si二极管的分类时
2020-09-18 15:50:20在上一篇文章中,对SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路的导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行了解说。本文将介绍在SiC MOSFET
2020-09-18 15:50:15本文将针对上一篇文章中介绍过的SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路及其导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行解说。SiC MOSFET
2020-09-18 15:50:12在探讨“SiC MOSFET:桥式结构中Gate-Source电压的动作”时,本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍,这也是这个主题的前
2020-09-18 15:50:09本文汇总了SiC的物理特性、SiC-SBD(肖特基势垒二极管)、SiC-MOSFET、全SiC功率模块的关键要点作为最后的总结篇。<前言>%
2020-09-18 15:50:04本文将介绍使用了全SiC模块的设计和评估支持工具。全SiC模块损耗模拟器ROHM免费提供可用来探讨和选用全SiC模块的损耗模拟器。仅
2020-09-18 15:50:01作为应用全SiC模块的应用要点,本文将在上一篇文章中提到的缓冲电容器基础上,介绍使用专用栅极驱动器对开关特性的改善情况。全S
2020-09-18 15:49:59本文将介绍全SiC模块的应用要点—缓冲电容器。在高速开关大电流的电路中,需要添加缓冲电容器。什么是缓冲电容器缓冲电容器
2020-09-18 15:49:56上一篇文章对全SiC模块栅极驱动的评估事项之一“栅极误导通”进行了介绍。本文将作为“其2”介绍栅极误导通的处理方法。“栅极误
2020-09-18 15:49:53从本文开始将探讨如何充分发挥全SiC功率模块的优异性能。此次作为栅极驱动的“其1”介绍栅极驱动的评估事项,在下次“其2”中介
2020-09-18 15:49:51全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍,开关损耗也可以说是传统功率模块所要
2020-09-18 15:49:48从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD(肖特基势垒二极管 )、SiC-MOSFET之后,来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全
2020-09-18 15:49:45本文就SiC-MOSFET的可靠性进行说明。这里使用的仅仅是ROHM的SiC-MOSFET产品相关的信息和数据。另外,包括MOSFET在内的SiC功率元
2020-09-18 15:49:43本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容,总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-
2020-09-18 15:49:40本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET,以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程
2020-09-18 15:49:37上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示,MOSFET(不局限于SiC-MO
2020-09-18 15:49:35上一章针对与Si-MOSFET的区别,介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别:V
2020-09-18 15:49:32从本文开始,将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人,与其详细
2020-09-18 15:49:29继前篇内容,继续进行各功率晶体管的比较。本篇比较结构和特征。功率晶体管的结构与特征比较下图是各功率晶体管的结构、耐压、导
2020-09-18 15:49:27继前篇结束的SiC-SBD之后,本篇进入SiC-MOSFET相关的内容介绍。功率转换电路中的晶体管的作用非常重要,为进一步实现低损耗与应
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