LTC1154高压侧开关和MOSFET驱动器参数介绍及中文PDF下载
LTC®1154 单通道高压侧栅极驱动器允许在高压侧开关应用中使用低成本的 N 沟道 FET。一个内部充电泵把栅极驱动电压提升至正电源轨以上，从而在未使用任何外部元件的情况下全面地强化了一个 N 沟道 MOS 开关。微功率操作 (待机电流为 8μA，工作电流为 85μA) 使其在…
2020-04-27 15:17:50
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LTC®1154 单通道高压侧栅极驱动器允许在高压侧开关应用中使用低成本的 N 沟道 FET。一个内部充电泵把栅极驱动电压提升至正电源轨以上，从而在未使用任何外部元件的情况下全面地强化了一个 N 沟道 MOS 开关。微功率操作 (待机电流为 8μA，工作电流为 85μA) 使其在…
2020-04-27 15:17:50
LTC®1157 双通道 3.3V 微功率 MOSFET 栅极驱动器使得能够通过一个低 RDS(ON) N 沟道开关 (在 3.3V 时需要采用 N 沟道开关，因为 P 沟道 MOSFET 在 VGS ≤ 3.3V 时不具备有保证的 RDS(ON)) 切换电源或接地参考负载。LTC1157 的内部充电泵把栅极驱动电压提升至正电源…
2020-04-27 15:17:48
LT1161 是一款四通道高端栅极驱动器，它允许采用低成本 N 沟道功率 MOSFET 来满足高端开关应用的需要。该器件具有 4 个独立的开关通道，这些通道各包含一个完全独立的充电泵，用于在不使用外部组件的情况下全面强化一个 N 沟道 MOSFET 开关。另外，在每个开关通道中…
2020-04-27 15:17:45
LTC®1163 / LTC1165 三通道低电压 MOSFET 驱动器使得能够采用低至 1.8V 电源通过便宜的低 RDS(ON) N 沟道开关来切换电源或接地参考负载。LTC1165 具有反相输入，因而能在保持系统驱动极性的情况下直接替换 P 沟道 MOSFET 开关。LTC1163 具有同相输入。微功率操作 (…
2020-04-27 15:17:43
LTC®1163 / LTC1165 三通道低电压 MOSFET 驱动器使得能够采用低至 1.8V 电源通过便宜的低 RDS(ON) N 沟道开关来切换电源或接地参考负载。LTC1165 具有反相输入，因而能在保持系统驱动极性的情况下直接替换 P 沟道 MOSFET 开关。LTC1163 具有同相输入。微功率操作 (…
2020-04-27 15:17:40
LT®1477 / LTC1478 防护式高端开关提供了极低 RDS(ON) 开关切换，并具有针对短路和热过载情况的内置保护功能。一个内置充电泵可产生高于电源电压的栅极驱动电压，以全面强化内部 NMOS 开关。该开关没有寄生体二极管，因而当其断开和输出被强制高于输入电源电压时不…
2020-04-27 15:17:37
LT®1477 / LTC1478 防护式高端开关提供了极低 RDS(ON) 开关切换，并具有针对短路和热过载情况的内置保护功能。一个内置充电泵可产生高于电源电压的栅极驱动电压，以全面强化内部 NMOS 开关。该开关没有寄生体二极管，因而当其断开和输出被强制高于输入电源电压时不…
2020-04-27 15:17:35
LTC®1623 SMBus 开关控制器是一款从属器件，其用于控制 SMBus 或 I2C 总线上的两个高压侧 N 沟道 MOSFET。LTC1623 采用 2.7V 至 5.5V 的输入电压工作，并具有 14μA (在 3.3V) 的低待用电流。按照 SMBus 规范，LTC1623 在整个电源电压范围内保持了 0.6V VIL 和 1.4V…
2020-04-27 15:17:27
LTC®1710 SMBus 双路开关具有两个受控于一个二线式 SMBus 接口的内置 0.4Ω/300mA 开关。LTC1710 具有 14μA (3.3V) 的低待用电流，可在 2.7V 至 5.5V 的输入电压范围内工作，同时保持 SMBus 规定的 0.6V VIL 和 1.4V VIH 输入门限。LTC1710 采用二线式接口 (CLK 和…
2020-04-27 15:17:17
LTC®1693 系列以高速驱动功率 N 沟道 MOSFET。1.5A 峰值输出电流降低了具有高栅极电容之 MOSFET 中的开关损耗。LTC1693-1 包含两个同相驱动器，而 LTC1693-2 则包含一个同相驱动器和一个反相驱动器。这些双路驱动器是电隔离和独立的。LTC1693-3 是具有一个输出极性…
2020-04-27 15:17:13
LTC®1981 / LTC1982 是低功率的独立型 N 沟道 MOSFET 驱动器。一个内部电压三倍器使得无需采用任何外部组件就能驱动栅极。内部调节电路允许静态电流在栅极充电完成时减小至每个驱动器 10µA (对于 LTC1981 为 20µA)。低静态电流和低停机电流 (低于 1µA) 使这些器…
2020-04-27 15:17:11
LTC®1981 / LTC1982 是低功率的独立型 N 沟道 MOSFET 驱动器。一个内部电压三倍器使得无需采用任何外部组件就能驱动栅极。内部调节电路允许静态电流在栅极充电完成时减小至每个驱动器 10µA (对于 LTC1981 为 20µA)。低静态电流和低停机电流 (低于 1µA) 使这些器…
2020-04-27 15:17:08
LTC®4440-5 是一款高频、高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，专为在 VIN 高达 60V 的应用中运作而设计。而且，LTC4440-5 还能安全承受 80V VIN 瞬变并在此瞬变过程中继续运行。强大的驱动器能力可降低具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4440-5 的上拉电路具有 1.1A…
2020-04-27 15:17:06
LTC®1693-5 以高速驱动功率 P 沟道 MOSFET。1.5A 峰值输出电流降低了具有高栅极电容之 MOSFET 中的开关损耗。LTC1693-5是具有一个输出极性选择引脚的单路驱动器。该 MOSFET 驱动器提供与 VCC 无关的 CMOS 输入门限和 1.2V 典型迟滞。它能够对输入逻辑信号进行电平移…
2020-04-27 15:17:04
LTC®4441 / LTC4441-1 是 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，能够提供高达 6A 的峰值输出电流。该芯片专为在高达 25V 的电源电压条件下运作而设计，并具有一个用于栅极驱动的可调线性稳压器。栅极驱动电压可设置在 5V 至 8V 之间。LTC4441 / LTC4441-1 具有一个逻辑门限驱…
2020-04-27 15:17:01
LT®1910 是一款高端栅极驱动器，它允许采用低成本 N 沟道功率 MOSFET 来满足高端开关应用的需要。该器件包含一个完全独立的充电泵，用于在不使用外部元件的情况下全面强化一个 N 沟道 MOSFET 开关。当内部漏极比较器检测到开关电流超过了预设水平时，开关被关断并确…
2020-04-27 15:17:01
LTC®4440 是一款高频、高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，专为在 VIN 高达 80V 的应用中运作而设计。而且，LTC4440 还能安全承受 100V VIN 瞬变并在此瞬变过程中继续运行。强大的驱动器能力可降低具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4440 的上拉电路具有 2.4A 的峰…
2020-04-27 15:16:58
LTC®4442 是一款高频栅极驱动器，专为利用一种同步降压型 DC/DC 转换器拓扑结构来驱动两个 N 沟道 MOSFET 而设计。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。 LTC4442 具有一个用于输入逻辑电路的分离电源，以实现与控制器 IC 信号摆幅的匹配。如果输…
2020-04-27 15:16:58LTC®4444 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4444 针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自…
2020-04-27 15:16:57
LTC®4440A-5 是一款高频、高端 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，专为在具有高达 80V VIN 电压的应用中运作而设计。而且，LTC4440A-5 还能安全承受 100V VIN 瞬变并在此瞬变过程中继续运行。强大的驱动器能力可降低具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4440A-5 的上拉电…
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