东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET---“TW070J120B”。该产品面向工业应
2020-10-20 09:05:27东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET---“TW070J120B”。该产品面向工业应
2020-10-20 09:05:27在工业应用 SMPS 的设计上,最新的技术趋势会将高效率、高功率密度及总线电压上升的需求作整体考虑,也因此触发了对 650V击穿电
2020-10-10 10:02:43东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,其产品线中新增了新型CMOS运算放大器“TC75S102F”,该产品拥有行业领先[1]的
2020-09-29 13:33:28The STGAP2SICS is a single gate driver which provides galvanic isolation between the gate driving channel and the low vo
2020-09-19 12:17:48This device is an high voltage N-channel Power MOSFET. This product offers improved on-resistance, low gate charge, high
2020-09-19 12:10:58This device is an high voltage N-channel Power MOSFET. This product offers improved on-resistance, low gate charge, high
2020-09-19 12:10:43上一篇文章中,介绍了在探讨输出电流较大的应用时应该注意的两个注意事项中的第一项。关键要点是要想提高输出电流,需要使用导通
2020-09-18 16:02:31上一篇文章介绍了输入电压升高时损耗增加的部分、注意事项及相应的对策。本文将介绍在探讨输出电流较大的应用时应该注意的两个事
2020-09-18 16:02:28本文将探讨功率开关MOSFET的栅极驱动相关的损耗,即下图的高边和低边开关的“PGATE”所示部分。栅极电荷损耗栅极电荷损耗是由该
2020-09-18 16:02:04在上一篇文章中,我们了解了同步整流降压转换器的损耗发生位置,并介绍了转换器整体的损耗是各部位的损耗之和。从本文开始将探讨
2020-09-18 16:01:53本文开始探讨同步整流降压转换器的损耗。首先,我们来看一下同步整流降压转换器发生损耗的部位。然后,会对各部位的损耗进行探讨
2020-09-18 16:01:51本篇以AC/DC转换器的评估篇:隔离型反激式转换器的性能评估和检查要点为主题,介绍了隔离型反激式AC/DC转换器电路性能评估的测量
2020-09-18 15:58:41前项介绍了从绝缘型反激式转换器的机上设计开始,接着试作并进入评估,评估是否符合设计目标,也就是输出电压和效率等电源规格的
2020-09-18 15:58:23继故障①“当二次侧MOSFET立即关断时”、故障②“当二次侧MOSFET在轻负载时因谐振动作而导通时”之后,本文将介绍故障③“当VDS2
2020-09-18 15:57:59上一篇文章中介绍了故障①“当二次侧MOSFET立即关断时”的对策,同时也提到了相应对策的注意事项。本文将介绍当二次侧MOSFET在轻
2020-09-18 15:57:56截至上一篇文章,结束了所需部件的选型和常数计算相关的介绍。接下来将分步骤介绍所选部件的PCB板安装、各种特性的确认及其是否
2020-09-18 15:57:54理解了上一篇文章中“电源规格与替代电路示例”的内容后,下面进入具体的电路设计。原电路的二次侧为二极管整流电路,将其改为同
2020-09-18 15:57:41针对此前介绍过的示例电路,此次介绍其效率和开关波形的评估结果。完整电路请参考这里。效率的评估效率的评估结果曲线图中,给出
2020-09-18 15:57:25这之前介绍了示例电路的各部件选型要点、常数的计算、PCB板布局示例,最后将利用示例电路来确认并评估一下效率和波形。本文将给
2020-09-18 15:57:22截至上一篇文章,结束了部件选型相关的内容,本文将对此前介绍过的PCB电路板布局示例进行总结。使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转
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