前言
在Tech Web的“基础知识”里新添加了关于“功率元器件”的记述。近年来,使用“功率元器件”或“功率半导体”等说法,以大功率低
2020-09-18 15:48:59在Tech Web的“基础知识”里新添加了关于“功率元器件”的记述。近年来,使用“功率元器件”或“功率半导体”等说法,以大功率低
2020-09-18 15:48:591. 器件结构和特征2. 标准化导通电阻3. VD - ID特性4. 驱动门极电压和导通电阻1. 器件结构和特征Si材料中越是高耐压器件,单位面
2020-09-18 15:27:29关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和温度特性关于MOSFET的寄
2020-09-18 15:08:20The STGAP2SICS is a single gate driver which provides galvanic isolation between the gate driving channel and the low vo
2020-09-18 12:30:00This device is an high voltage N-channel Power MOSFET. This product offers improved on-resistance, low gate charge, high
2020-09-18 12:17:10This device is an high voltage N-channel Power MOSFET. This product offers improved on-resistance, low gate charge, high
2020-09-18 12:16:37物联网(IoT)超低功耗无线技术的创新者Atmosic™Technologies与全球领先的OEM 电子元器件设计和制造商SMK Electronics Corporat
2020-09-08 13:51:50半导体市场的最新趋势是广泛采用碳化硅(SiC)器件,包括用于工业和汽车应用的肖特基势垒二极管(SBD)和功率 MOSFET。与此同时
2020-09-08 13:41:181873年,科学家约瑟·美(Joseph May)及伟洛比·史密夫(WilloughbySmith)就发现了硒元素结晶体感光后能产生电流,由此,电子影像
2020-09-08 09:14:33一、芯片介绍继推出5W和20W的开关电源控制IC后,为满足客户对更多功率段的需求,金升阳推出内置高压MOS管和高压启动的AC/DC电源
2020-09-03 14:01:15随着汽车产业自动化、共享化、互联化的趋势日渐明朗,整个智能交通体系在互联网、人工智能和移动通信等前沿技术的催动下正在发生
2020-08-31 14:03:51罗姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽栅极结构(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。该产品系列提供4引脚封装(TO-247-4L)型款,与
2020-08-27 10:15:40随着汽车产业自动化、共享化、互联化的趋势日渐明朗,整个智能交通体系在互联网、人工智能和移动通信等前沿技术的催动下正在发生
2020-08-26 09:44:03能效和可靠性是所有电子功率变换器必备的主要特性。在与人类社会活动和生态环境保护相关的应用领域,例如,交通、工业、能源转换
2020-08-14 09:06:34摘要本文将探讨如何在雪崩工作条件下评估SiCMOSFET的鲁棒性。MOSFET功率变换器,特别是电动汽车驱动电机功率变换器,需要能够耐
2020-08-06 10:52:29查IC网消息,据台湾媒体报道,台积电扩大了与索尼CIS(CMOS图像传感器,CMOS Image Sensor,简称CIS)代工合作。台积电旗下关联企
2020-07-07 14:39:22查IC网消息,全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”,非常适用于包括主机逆变器在
2020-06-18 10:13:04LTC®1156 四通道高压侧栅极驱动器允许在高压侧开关应用中使用低成本的 N 沟道 FET。一个内部充电泵把栅极驱动电压提升至正电源轨以上,从而在未使用任何外部组件的情况下全面地强化了一个 N 沟道 MOS 开关。微功率操作 (具有 16μA 待用电流和 95μA 工作电流) 使其…
2020-04-27 15:18:03The H (Metal Can), J (Ceramic), and K (Metal Can) Packages From Linear Technology Are Now Obsolete LTC®1155 双通道高端栅极驱动器允许在高端开关应用中使用低成本的 N 沟道 FET。一个内部充电泵把栅极驱动电压提升至正电源轨以上,从而在未使用任何外部组件…
2020-04-27 15:18:00LTC®1255 双通道高压侧驱动器允许在高压侧工业和汽车开关应用中使用低成本的 N 沟道 FET。一个内部充电泵把栅极驱动电压提升至高于正电源轨,从而在未使用任何外部组件的情况下全面地强化了一个 N 沟道 MOS 开关。低功率操作 (具有 12μA 待用电流) 使其在几乎所有…
2020-04-27 15:17:57